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NTD4906N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2500
2000
1500
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
15
12
9
Q T
V GS
1000
500
0
0
5
10
C oss
C rss
15
20
25
30
6
3
0
0
Q GS
5
Q GD
10
15
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
T J = 25 ° C
20 25
30
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
30
25
20
V GS = 0 V
t r
15
10
t d(on)
10
T J = 125 ° C
5
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8 1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
50
45
I D = 31 A
100
10
1
0.1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
40
35
30
25
20
15
10
5
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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